FDPF8N50NZT参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDPF8N50NZT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40.3W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 7360pF @25VVds

耗散功率Max 40.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： FDPF8N50NZT

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道的UniFET II MOSFET N-Channel UniFET II MOSFET

替代型号FDPF8N50NZT