FDS5682中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 17.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS5682
型号： FDS5682
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 7.5A ，21M欧姆 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm
替代型号FDS5682
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS5682 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STS7NF60L 意法半导体 | 功能相似 | FDS5682和STS7NF60L的区别 |