N沟道 500V 1.1A
N-Channel 500 V 1.1A Tc 2.5W Ta, 25W Tc Surface Mount TO-252AA
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MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 500 V
额定电流 1.10 A
漏源极电阻 9.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.10 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD1N50TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD1N50TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD1N50TM和FQD1N50TF的区别 |
FQD1N50 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQD1N50TM和FQD1N50的区别 |