200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
N-Channel 200 V 17.5A Tc 55W Tc Through Hole TO-220F-3
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MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
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N沟道 200V 17.5A
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MOSFET 200V N-Channel QFET
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Trans MOSFET N-CH 200V 17.5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
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MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
额定电压DC 200 V
额定电流 17.5 A
漏源极电阻 75.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 17.5 A
上升时间 280 ns
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF34N20 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP5NK100Z 意法半导体 | 功能相似 | FQPF34N20和STP5NK100Z的区别 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FQPF34N20和STD18N55M5的区别 |
SPP08N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FQPF34N20和SPP08N80C3的区别 |