FQA34N25

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FQA34N25概述

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

N-Channel 250 V 34A Tc 245W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 250V 34A TO3P


立创商城:
N沟道 250V 34A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 34A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P


FQA34N25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 34.0 A

漏源极电阻 85.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 245W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

输入电容Ciss 2750pF @25VVds

额定功率Max 245 W

耗散功率Max 245W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA34N25
型号: FQA34N25
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
替代型号FQA34N25
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQA34N25

Fairchild 飞兆/仙童

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