FQB6N15TM

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FQB6N15TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 6.30 A

漏源极电阻 475 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 63W Tc

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 6.40 A

输入电容Ciss 270pF @25VVds

耗散功率Max 3.75W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB6N15TM
型号: FQB6N15TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 150V 6.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB6N15TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB6N15TM

Fairchild 飞兆/仙童

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