FQD4N20LTM

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FQD4N20LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.20 A

漏源极电阻 1.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

输入电容Ciss 310pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD4N20LTM
型号: FQD4N20LTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD4N20LTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQD4N20LTM

Fairchild 飞兆/仙童

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