FDW2508PB双P沟道-1.8V指定的PowerTrench MOSFET -12V ， -6A ， 18mohm FDW2508PB Dual P-Channel -1.8V Specified PowerTrench MOSFET -12V, -6A, 18mohm
General Description
This P-Channel –1.8V specified MOSFET uses Semiconductor’s advanced low voltage PowerTrench® . It has been optimized for battery power management applications.
Features
Max rDSon= 18mΩat VGS= –4.5V, ID= –6A
Max rDSon= 22mΩat VGS= –2.5V, ID= –5A
Max rDSon= 30mΩat VGS= –1.8V, ID= –4A
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low rDSon
Low profile TSSOP-8 package
RoHS compliant
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -6.00 A
通道数 2
漏源极电阻 18 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 3.77 nF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids -6.00 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3775pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 106 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99