FDD2612概述
200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 200 V 4.9A Ta 42W Ta Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
立创商城:
N沟道 200V 4.9A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
FDD2612中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 4.90 A
漏源极电阻 720 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 42W Ta
输入电容 234 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
上升时间 6.00 ns
输入电容Ciss 234pF @100VVds
额定功率Max 1.6 W
耗散功率Max 42W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDD2612
型号： FDD2612
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET