N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel 30V 80A Ta 68W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
立创商城:
N沟道 30V 80A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 7.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 68W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP7030L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP7030L_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDP7030L和FDP7030L_NL的区别 |