FDR840P

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FDR840P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -10.0 A

漏源极电阻 11.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.8 W

输入电容 4.48 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -200 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 4481pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-8

外形尺寸

长度 4.06 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.02 mm

封装 SSOT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDR840P
型号: FDR840P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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