FQD10N20TF

FQD10N20TF图片1
FQD10N20TF图片2
FQD10N20TF图片3
FQD10N20TF图片4
FQD10N20TF图片5
FQD10N20TF图片6
FQD10N20TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 7.60 A

漏源极电阻 360 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.60 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 51W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD10N20TF
型号: FQD10N20TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台