FDS3912中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
输入电容 632 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 2.00 ns
输入电容Ciss 632pF @50VVds
额定功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS3912
型号： FDS3912
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：100V双N沟道PowerTrench MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET