FQD7N10TM

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FQD7N10TM概述

N沟道 100V 5.8A

N-Channel 100 V 5.8A Tc 2.5W Ta, 25W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak


立创商城:
N沟道 100V 5.8A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK


FQD7N10TM中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 5.8A

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD7N10TM
型号: FQD7N10TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 100V 5.8A
替代型号FQD7N10TM
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Fairchild 飞兆/仙童

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