FQP19N20C_F080

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FQP19N20C_F080中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 139 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 1080pF @25VVds

下降时间 115 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 139W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQP19N20C_F080
型号: FQP19N20C_F080
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+Tab
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