N沟道 80V 16.5A
N-Channel 80 V 16.5A Tc 3.13W Ta, 65W Tc Through Hole I2PAK TO-262
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N沟道 80V 16.5A
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MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
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MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
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Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 80.0 V
额定电流 16.5 A
漏源极电阻 88.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 16.5 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 65W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99