FQD19N10LTF

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FQD19N10LTF概述

N沟道 100V 15.6A

N-Channel 100V 15.6A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 15.6A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK


FQD19N10LTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 15.6 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 15.6 A

输入电容Ciss 870pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD19N10LTF
型号: FQD19N10LTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 100V 15.6A
替代型号FQD19N10LTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQD19N10LTF

Fairchild 飞兆/仙童

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