FQB65N06TM

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FQB65N06TM概述

N沟道 60V 65A

N-Channel 60 V 65A Tc 3.75W Ta, 150W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK


立创商城:
N沟道 60V 65A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FQB65N06TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 65.0 A

漏源极电阻 16.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 65.0 A

输入电容Ciss 2410pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB65N06TM
型号: FQB65N06TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 60V 65A
替代型号FQB65N06TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB65N06TM

Fairchild 飞兆/仙童

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FQB65N06

飞兆/仙童

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