FQA10N80概述
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
N-Channel 800V 9.8A Tc 240W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
立创商城:
FQA10N80
贸泽:
MOSFET 800V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin3+Tab TO-3P
FQA10N80中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 9.80 A
通道数 1
漏源极电阻 1.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.80 A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
额定功率Max 240 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 240W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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