500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500V 48A Tc 625W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
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N沟道 500V 48A
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MOSFET 500V N-Channel UniFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail
额定电压DC 500 V
额定电流 48.0 A
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
输入电容 4.98 nF
栅电荷 105 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 360 ns
输入电容Ciss 6460pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 230 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDH50N50 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STW45NM60 意法半导体 | 功能相似 | FDH50N50和STW45NM60的区别 |
FCA47N60 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDH50N50和FCA47N60的区别 |
FCA47N60_F109 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDH50N50和FCA47N60_F109的区别 |