FDD6782A参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD6782A概述

N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench® MOSFET

N-Channel 25V 20A Ta 3.7W Ta, 31W Tc Surface Mount TO-252AA

得捷:
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK

立创商城:
N沟道 25V 20A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK

FDD6782A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3700 mW

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 1065pF @13VVds

额定功率Max 3.7 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.7W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD6782A

型号： FDD6782A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench® MOSFET