FQL50N40概述
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
N-Channel 400 V 50A Tc 460W Tc Through Hole HPM F2
得捷:
MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3
立创商城:
N沟道 400V 50A
贸泽:
MOSFET 400V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 50A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail
Win Source:
400V N-Channel MOSFET
FQL50N40中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 50.0 A
漏源极电阻 75.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 510 ns
输入电容Ciss 7500pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 280 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.2 mm
宽度 5.2 mm
高度 26.4 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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