FQI6N50TU

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FQI6N50TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 5.50 A

极性 N-CH

耗散功率 3.13W Ta, 130W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQI6N50TU
型号: FQI6N50TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3Pin3+Tab I2PAK T/R

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