FQPF19N10L概述
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
N-Channel 100V 13.6A Tc 38W Tc Through Hole TO-220F-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
立创商城:
N沟道 100V 13.6A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
FQPF19N10L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 19.0 A
漏源极电阻 74.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 38W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.6 A
输入电容Ciss 870pF @25VVds
额定功率Max 38 W
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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