FDG314P

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FDG314P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -650 mA

漏源极电阻 1.10 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

输入电容 63.0 pF

栅电荷 1.10 nC

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 -25.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 650 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 63pF @10VVds

额定功率Max 480 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FDG314P
型号: FDG314P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:数字场效应晶体管, P沟道 Digital FET, P-Channel

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