FDW254P

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FDW254P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -9.20 A

针脚数 8

漏源极电阻 12 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 9.20 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 5878pF @10VVds

额定功率Max 600 mW

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDW254P
型号: FDW254P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDW254P  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.2 A, -20 V, 12 mohm, -4.5 V, 600 mV
替代型号FDW254P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDW254P

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

DMP2022LSS-13

美台

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SI6469DQ-T1-E3

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