FDPF12N35

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FDPF12N35中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 380 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 31.3W Tc

漏源极电压Vds 350 V

漏源击穿电压 350 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

输入电容Ciss 1110pF @25VVds

额定功率Max 31.3 W

耗散功率Max 31.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FDPF12N35
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:350V N沟道MOSFET 350V N-Channel MOSFET

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