FQA7N65C

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FQA7N65C中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.40 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 173 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQA7N65C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET

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