N沟道 250V 5.5A
N-Channel 250 V 5.5A Tc 3.13W Ta, 63W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
立创商城:
N沟道 250V 5.5A
得捷:
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 5.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
额定电压DC 250 V
额定电流 5.50 A
漏源极电阻 1.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13W Ta, 63W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 63W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQB6N25TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB4N25TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB6N25TM和FQB4N25TM的区别 |
IRF624S Vishay Siliconix | 功能相似 | FQB6N25TM和IRF624S的区别 |
FQB4N25 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQB6N25TM和FQB4N25的区别 |