FDD6N20TF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FDD6N20TF中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 4.5A

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 40 W

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6N20TF

型号： FDD6N20TF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

替代型号FDD6N20TF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDD6N20TF Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDD6N20TM 飞兆/仙童	类似代替	FDD6N20TF和FDD6N20TM的区别
PHD9NQ20T,118 安世	功能相似	FDD6N20TF和PHD9NQ20T,118的区别
2SK214 瑞萨电子	功能相似	FDD6N20TF和2SK214的区别