FDS7766

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FDS7766中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 8 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FDS7766
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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