FDI8441_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 26A
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDI8441_F085
型号： FDI8441_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET N-CH 40V 26A Automotive 3Pin TO-262AB Rail