FQB9N08TM概述
N沟道 80V 9.3A
N-Channel 80 V 9.3A Tc 3.75W Ta, 40W Tc Surface Mount D2PAK TO-263
立创商城:
N沟道 80V 9.3A
得捷:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
FQB9N08TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 9.30 A
漏源极电阻 210 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 40W Tc
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
耗散功率Max 3.75W Ta, 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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