N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel 30 V 48A Ta 52W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
立创商城:
N沟道 30V 48A
贸泽:
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
额定电压DC 30.0 V
额定电流 48.0 A
通道数 1
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1250pF @15VVds
额定功率Max 52 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 52W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP6030L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP8880 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDP6030L和FDP8880的区别 |
ISL9N310AP3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDP6030L和ISL9N310AP3的区别 |
FDP6030L_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDP6030L和FDP6030L_NL的区别 |