FQB16N25CTM

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FQB16N25CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 15.6 A

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 15.6 A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 1080pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB16N25CTM
型号: FQB16N25CTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
替代型号FQB16N25CTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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