FDC6308P

FDC6308P图片1
FDC6308P中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 180 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 960 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 9 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SSOT-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDC6308P
型号: FDC6308P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
替代型号FDC6308P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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