FDMS8670概述
N沟道功率MOSFET Trench㈢ 30V ， 42A ， 2.6米ヘ N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 42A, 2.6mヘ
N-Channel 30V 24A Ta, 42A Tc 2.5W Ta, 78W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6
立创商城:
N沟道 30V 42A 24A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
贸泽:
MOSFET 30V/20V N-Channel Power Trench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 42A 8-Pin Power 56 T/R
FDMS8670中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.6 Ω
极性 N-CH
耗散功率 78 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 42A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 3940pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDMS8670
型号： FDMS8670
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道功率MOSFET Trench㈢ 30V ， 42A ， 2.6米ヘ N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 42A, 2.6mヘ