FDB42AN15A0参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB42AN15A0中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 35.0 A

漏源极电阻 42.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

输入电容 2.15 nF

栅电荷 30.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 19.0 ns

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB42AN15A0

型号： FDB42AN15A0

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDB42AN15A0