20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 20V 1.5A Ta 420mW Ta Surface Mount SC-88 SC-70-6
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N沟道 20V 1.5A
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MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
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MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-70 T/R
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20V N-Channel PowerTrench MOSFET
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.50 A
通道数 1
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 420 mW
输入电容 324 pF
栅电荷 3.30 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 324pF @10VVds
额定功率Max 380 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 420mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDG329N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | FDG329N和SI1426DH-T1-GE3的区别 |
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | FDG329N和SI1426DH-T1-E3的区别 |
FDG311N_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDG329N和FDG311N_NL的区别 |