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FDS9933BZ概述

双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC

得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
2个P沟道 20V 4.9A

贸泽:
MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

FDS9933BZ中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.9A

上升时间 9.3 ns

输入电容Ciss 985pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDS9933BZ

型号： FDS9933BZ

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET

替代型号FDS9933BZ