额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 133 ns
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 62 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF18N20V2 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD6N95K5 意法半导体 | 功能相似 | FQPF18N20V2和STD6N95K5的区别 |
FQP33N10 安森美 | 功能相似 | FQPF18N20V2和FQP33N10的区别 |
FDP18N50 安森美 | 功能相似 | FQPF18N20V2和FDP18N50的区别 |