双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.5A, 6A 900mW Surface Mount 8-SO
得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 40V 7.5A 6A
贸泽:
MOSFET S08 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
额定电流 7.50 A
漏源极电阻 17.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.56 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 900pF @20VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS4885C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4885C_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS4885C和FDS4885C_NL的区别 |