500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500V 28.4A Tc 310W Tc Through Hole TO-3P
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MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
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N沟道 500V 28.4A
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MOSFET 500V N-Channel FRFET
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Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
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Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
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MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
额定电压DC 500 V
额定电流 28.4 A
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.4 A
上升时间 290 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 175 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA28N50F Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA28N50 飞兆/仙童 | 完全替代 | FQA28N50F和FQA28N50的区别 |
STW28NM50N 意法半导体 | 功能相似 | FQA28N50F和STW28NM50N的区别 |