FDS7079ZN3

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FDS7079ZN3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -16.0 A

漏源极电阻 7.50 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids -16.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3630pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 98 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS7079ZN3
型号: FDS7079ZN3
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS7079ZN3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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