800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
N-Channel 800V 2.8A Tc 47W Tc Through Hole TO-220F
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MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
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N沟道 800V 2.8A
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin3+Tab TO-220F
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MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
额定电压DC 800 V
额定电流 2.80 A
漏源极电阻 2.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 47W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
输入电容Ciss 1250pF @25VVds
额定功率Max 47 W
耗散功率Max 47W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF5N80 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF6N80C 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQPF5N80和FQPF6N80C的区别 |