FDH27N50

FDH27N50图片1
FDH27N50图片2
FDH27N50图片3
FDH27N50图片4
FDH27N50图片5
FDH27N50图片6
FDH27N50图片7
FDH27N50图片8
FDH27N50图片9
FDH27N50图片10
FDH27N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 27.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 450 W

输入电容 3.55 nF

栅电荷 56.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 27.0 A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 3550pF @25VVds

额定功率Max 450 W

下降时间 54 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDH27N50
型号: FDH27N50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET
替代型号FDH27N50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDH27N50

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STW20NK50Z

意法半导体

功能相似

FDH27N50和STW20NK50Z的区别

STD18N55M5

意法半导体

功能相似

FDH27N50和STD18N55M5的区别

SPA04N80C3

英飞凌

功能相似

FDH27N50和SPA04N80C3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台