FQU2N80TU

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FQU2N80TU概述

N沟道 800V 1.8A

N-Channel 800V 1.8A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK


立创商城:
N沟道 800V 1.8A


贸泽:
MOSFET 800V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail


FQU2N80TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 1.80 A

漏源极电阻 6.30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 6.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU2N80TU
型号: FQU2N80TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 800V 1.8A
替代型号FQU2N80TU
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