FQH90N15

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FQH90N15中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 90.0 A

漏源极电阻 18.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

上升时间 760 ns

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

下降时间 410 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQH90N15
型号: FQH90N15
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET
替代型号FQH90N15
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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