FQP90N10V2

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FQP90N10V2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 90.0 A

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

输入电容Ciss 6150pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP90N10V2
型号: FQP90N10V2
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
替代型号FQP90N10V2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP90N10V2

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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