FQA20N40

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FQA20N40中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 19.5 A

通道数 1

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 19.5 A

上升时间 210 ns

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQA20N40
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

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